Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 1200 V Forbedring, 8 Ben, AG - EASY2B, IAUZ AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 250-0218
- Producentens varenummer:
- F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 enhed)*
Kr. 807,91
(ekskl. moms)
Kr. 1.009,89
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 16 enhed(er) afsendes fra 23. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 + | Kr. 807,91 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 250-0218
- Producentens varenummer:
- F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Emballagetype | AG - EASY2B | |
| Serie | IAUZ | |
| Monteringstype | Skrueterminal | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Emballagetype AG - EASY2B | ||
Serie IAUZ | ||
Monteringstype Skrueterminal | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon CoolSiC MOSFET EasyPACK 2B 1200 V/8 mΩ 3-niveau modul med CoolSiC MOSFET med forbedret generation 1, integreret NTC temperatursensor, formonteret termisk grænseflademateriale og Press-fit Contact Technology.
Høj strømtæthed
Lave koblingstab
Robust montering takket være integrerede monteringsklemmer
Integreret NTC temperatursensor
Pressfit kontaktteknologi
Formonteret termisk grænseflademateriale
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 100 A 1200 V Forbedring AG - EASY2B, IAUZ AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 150 A 1200 V Forbedring FF6MR
- Infineon Halvbro N-kanal-Kanal 160 A 1200 V Forbedring AG - EASY2B, XHP 2
- Infineon Type N-Kanal 375 A 2000 V Forbedring F3L6MR
- Infineon Isoleret Type N-Kanal 25 A 1200 V AG - EASY2B, F4
- Infineon N-Kanal 200 A 1200 V CoolSiC FF6MR12W2M1B11BOMA1
- Infineon 75 A 1200 V, AG-EASY2B-711 Chassis
- Infineon Type N-Kanal 400 A 1200 V Forbedring AG-EASY3B AEC-Q101