Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 0.23 A 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, BSS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 250-0556P
- Producentens varenummer:
- BSS306NH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 100 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 198,20
(ekskl. moms)
Kr. 247,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 16.420 enhed(er) afsendes fra 21. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 100 - 240 | Kr. 1,982 |
| 250 - 490 | Kr. 1,892 |
| 500 - 990 | Kr. 1,81 |
| 1000 + | Kr. 1,451 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 250-0556P
- Producentens varenummer:
- BSS306NH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 0.23A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | BSS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 0.23A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie BSS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon gør N-kanal forstærkningstilstand lille signal MOSFET-transistor udbredt til anvendelser med højt switching. Den er lavine-klassificeret og halogenfri. Denne enhed er OptiMOS 2, småsignal-transistor. Logikniveauet (4,5V normeret) og Avalanche klassificeret. Den er 100% blyfri og halogenfri.
N-kanal, forstærkningstilstand
Logisk niveau 4,5V normeret
Maks. effekttab er 500mW