Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 33 A 650 V Udtømning, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, EF AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 252-0266P
- Producentens varenummer:
- SIHK075N60EF-T1GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 10 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 503,40
(ekskl. moms)
Kr. 629,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 50 enhed(er) afsendes fra 05. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 10 - 24 | Kr. 50,34 |
| 25 - 49 | Kr. 45,63 |
| 50 - 99 | Kr. 42,79 |
| 100 + | Kr. 40,24 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 252-0266P
- Producentens varenummer:
- SIHK075N60EF-T1GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 33A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | PowerPAK 10 x 12 | |
| Serie | EF | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.061Ω | |
| Kanalform | Udtømning | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 72nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 192W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | +150°C | |
| Længde | 6.15mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bredde | 5.15mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 33A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype PowerPAK 10 x 12 | ||
Serie EF | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.061Ω | ||
Kanalform Udtømning | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 72nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 192W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. +150°C | ||
Længde 6.15mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bredde 5.15mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Vishay EF seriens Power MOSFET, 650 V maksimal drain-kildespænding, 33 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SIHK075N60EF-T1GE3
Denne effekt-MOSFET er en højspændingsswitch-enhed, der er designet til krævende strøm-elektronik- og bilmiljøer. Den fungerer som en N-kanal-transistor med udtømningstilstand, der er velegnet til højspændingsanvendelser, og giver en balance mellem strømkapacitet og termisk modstandsdygtighed til industriel styring og elektroniske systemer i køretøjer.
Egenskaber og fordele:
• 650 V-klassificering muliggør højspændingskoblingsanvendelser • 33 A kontinuerlig drænstrøm understøtter betydelige belastningsstrømme • 0,061 Ω lav Rds(on) reducerer ledningstab • 192 W effekttab muliggør forhøjet effekthåndtering • 72 nC typisk portladning giver mulighed for forudsigelig portdrevstørrelse • 20 V maksimal gate-source-spænding passer til robuste drevområder
Anvendelser
• Velegnet til inverter- og motordrevstrin i automatiseringssystemer • Ideel til højspændings DC-DC-konvertere i elektrificerede køretøjer • Anvendes til primære kontakter i strømforsyninger til industrielt udstyr • Kan bruges til trækkraft og ekstra køretøjselektronik
Hvilket temperaturområde kan den tåle under drift?
Den er specificeret til drift fra -55 °C op til +150 °C, hvilket giver mulighed for brug på tværs af en lang række omgivende og termiske forhold, der er typiske for bil- og industrielle installationer.
Hvilken pakketype skal designere tage hensyn til på kortet?
Enheden leveres i en 8-benet PowerPAK 10x12-pakke til overflademontering, så der skal anvendes termisk pude-layout og loddeprofiler til denne pakke.
Hvilke begrænsninger for gate-drev skal overholdes for pålidelig omskiftning?
Den maksimale gate-source-spænding er 20 V
portdrivere skal designes til at forblive inden for denne grænse, mens de giver tilstrækkelig stigetid til at styre portbelastningen på 72 nC.
Er der nogen godkendelser eller miljøstandarder, der er anført for denne enhed?
Den opfylder RoHS-kravene og overholder AEC-Q101-bilstandarden for komponentkvalifikation.