Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 101 A -40 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8SLW AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 67,92

(ekskl. moms)

Kr. 84,90

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.780 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 6,792Kr. 67,92
100 - 240Kr. 6,388Kr. 63,88
250 - 490Kr. 5,775Kr. 57,75
500 - 990Kr. 5,438Kr. 54,38
1000 +Kr. 5,101Kr. 51,01

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
252-0318
Producentens varenummer:
SQS141ELNW-T1_GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

101A

Drain source spænding maks. Vds

-40V

Emballagetype

PowerPAK 1212-8SLW

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.01mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

192W

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

94nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

6.15mm

Bredde

3.3 mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Vishay MOSFET'er til brug i biler er fremstillet på en dedikeret processtrøm til stadig robusthed. Den vishay siliconix AEC-Q101-kvalificerede SQ-serie, der er mærket til en maksimal samlingstemperatur på 175 °C, har lav modstand ved tændt n- og p-kanals skot-FET-teknologier i bly (Pb)- og halogenfri SO-huse.

TrenchFET Gen IV Power MOSFET AEC-Q101-kvalificeret 100 % Rg og UIS-testet, vådbare flankterminaler med lav termisk modstand med 0,75 mm profil

Relaterede links