Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 101 A -40 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8SLW AEC-Q101 SQS141ELNW-T1_GE3
- RS-varenummer:
- 252-0318
- Producentens varenummer:
- SQS141ELNW-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 67,92
(ekskl. moms)
Kr. 84,90
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 1.780 enhed(er) afsendes fra 19. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 6,792 | Kr. 67,92 |
| 100 - 240 | Kr. 6,388 | Kr. 63,88 |
| 250 - 490 | Kr. 5,775 | Kr. 57,75 |
| 500 - 990 | Kr. 5,438 | Kr. 54,38 |
| 1000 + | Kr. 5,101 | Kr. 51,01 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 252-0318
- Producentens varenummer:
- SQS141ELNW-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 101A | |
| Drain source spænding maks. Vds | -40V | |
| Emballagetype | PowerPAK 1212-8SLW | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.01mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 94nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 192W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.15mm | |
| Bredde | 3.3 mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 101A | ||
Drain source spænding maks. Vds -40V | ||
Emballagetype PowerPAK 1212-8SLW | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.01mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 94nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 192W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.15mm | ||
Bredde 3.3 mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Vishay MOSFET'er til brug i biler er fremstillet på en dedikeret processtrøm til stadig robusthed. Den vishay siliconix AEC-Q101-kvalificerede SQ-serie, der er mærket til en maksimal samlingstemperatur på 175 °C, har lav modstand ved tændt n- og p-kanals skot-FET-teknologier i bly (Pb)- og halogenfri SO-huse.
TrenchFET Gen IV Power MOSFET AEC-Q101-kvalificeret 100 % Rg og UIS-testet, vådbare flankterminaler med lav termisk modstand med 0,75 mm profil
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 101 A -40 V Forbedring PowerPAK 1212-8SLW AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 141 A -40 V Forbedring PowerPAK 1212-8SLW AEC-Q101 SQS160ELNW-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 110 A -40 V Forbedring PowerPAK 1212-8SLW AEC-Q101 SQS142ELNW-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 214 A 40 V Forbedring PowerPAK 1212-8SLW, SQS AEC-Q101 SQS140ELNW-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 141 A -40 V Forbedring PowerPAK 1212-8SLW AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 110 A -40 V Forbedring PowerPAK 1212-8SLW AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 214 A 40 V Udtømning PowerPAK 1212-8SLW AEC-Q101 SQS140ENW-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 214 A 40 V Udtømning PowerPAK 1212-8SLW AEC-Q101