onsemi N-Kanal, MOSFET, 58 A 1200 V Forbedring, 7 Ben, TO-247, NTH AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 254-7669
- Producentens varenummer:
- NTH4L025N065SC1
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 450 enheder)*
Kr. 44.048,25
(ekskl. moms)
Kr. 55.060,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 10. august 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 450 - 450 | Kr. 97,885 | Kr. 44.048,25 |
| 900 - 900 | Kr. 95,928 | Kr. 43.167,60 |
| 1350 + | Kr. 94,009 | Kr. 42.304,05 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 254-7669
- Producentens varenummer:
- NTH4L025N065SC1
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 58A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | NTH | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 22mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 4.5V | |
| Portkildespænding maks. | 22V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 164nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 117W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS with exemption 7a, Pb-Free 2LI | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 58A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie NTH | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 22mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 4.5V | ||
Portkildespænding maks. 22V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 164nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 117W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS with exemption 7a, Pb-Free 2LI | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Siliciumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 19 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L siliciumkarbid (SiC) MOSFET - 19 mohm, 650 V, M2, TO247−4L
ON Semiconductor NTH serien af en siliciumkarbid mosfet bruger en helt ny teknologi, der giver fremragende skifteydelse og højere pålidelighed sammenlignet med silicium. Desuden med lav modstand ved tænding og kompakt chipstørrelse. Det sikrer en lav kapacitet og gate-opladning. Derfor omfatter systemfordelene højeste effektivitet, hurtigere driftsfrekvens, øget effekttæthed, reduceret EMI og reduceret systemstørrelse.
Anvendes i telekommunikation med ultralav gate-opladning, høj hastighedskontakt og lav kapacitet