DiodesZetex N-Kanal, MOSFET, 6 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, DMN2040U AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 254-8602
- Producentens varenummer:
- DMN2055UQ-7
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 61,35
(ekskl. moms)
Kr. 76,70
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 2.250 enhed(er) afsendes fra 21. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 2,454 | Kr. 61,35 |
| 50 - 75 | Kr. 2,40 | Kr. 60,00 |
| 100 - 225 | Kr. 1,314 | Kr. 32,85 |
| 250 - 975 | Kr. 1,278 | Kr. 31,95 |
| 1000 + | Kr. 1,071 | Kr. 26,78 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 254-8602
- Producentens varenummer:
- DMN2055UQ-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | DMN2040U | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 33mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 7.5nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.36W | |
| Portkildespænding maks. | 12V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1mm | |
| Længde | 3mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 1.4mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie DMN2040U | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 33mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 7.5nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.36W | ||
Portkildespænding maks. 12V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1mm | ||
Længde 3mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 1.4mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
DiodeZetex forbedringstilstand MOSFET er designet til at minimere modstanden i tændt tilstand og samtidig opretholde fremragende switching-ydeevne, hvilket gør den velegnet til højeffektiv strømstyring. Den er anvendelig i allround interfacing sw
Lav modstand ved tænding Lav indgangskapacitet ESD-beskyttet gate Halogen- og antimonfri