Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 4.8 A 200 V, 3 Ben, TO-252, IRFR220
- RS-varenummer:
- 256-7308
- Producentens varenummer:
- IRFR220PBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 75 enheder)*
Kr. 377,775
(ekskl. moms)
Kr. 472,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.575 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 75 - 75 | Kr. 5,037 | Kr. 377,78 |
| 150 - 450 | Kr. 3,864 | Kr. 289,80 |
| 525 - 975 | Kr. 3,298 | Kr. 247,35 |
| 1050 - 2925 | Kr. 3,213 | Kr. 240,98 |
| 3000 + | Kr. 3,132 | Kr. 234,90 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 256-7308
- Producentens varenummer:
- IRFR220PBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | IRFR220 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.8Ω | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 42W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 14nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.8V | |
| Driftstemperatur maks. | +150°C | |
| Højde | 2.39mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie IRFR220 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.8Ω | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 42W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 14nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.8V | ||
Driftstemperatur maks. +150°C | ||
Højde 2.39mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay IRFR220 seriens Power MOSFET, 200 V maksimal drain source-spænding, 4,8 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IRFR220PBF
Denne effekt-MOSFET er en overflademonteret, N-kanals koblingsenhed, der er designet til højspændings-strømstyringsopgaver i industrielle og elektroniske systemer. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er beregnet til anvendelser, der kræver moderat kontinuerlig strømhåndtering og høj drain-kilde-spændingstolerance. Komponenten leveres i en kompakt TO-252-pakke, der er velegnet til automatiseret printmontering.
Egenskaber og fordele:
• 200 V maksimal drain-source-spænding giver højspændingskontaktkapacitet • 4,8 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderate belastningsstrømme • 0,8 Ω drain-source-modstand reducerer ledningstab under belastning • 42 W maksimal effekttab muliggør vedvarende strømhåndtering • 14 nC typisk gate-ladning muliggør hurtigere gate-drive-switching • ±150 °C maksimal mærketemperatur forlænger den termiske margen
Anvendelser
• Velegnet til industrielle motorstyringsdrivertrin • Ideel til højspændings DC-DC-omformerswitche • Anvendes til strømomskiftning i automatiseringsaktuatorer • Kan bruges til belastningsswitching i elektrisk testudstyr
Hvilke portdrevbegrænsninger skal jeg overholde for pålidelig omskiftning?
Hold gate-kilde-spændingen inden for ±20 V, og design portdrivere til at oplade porten med ca. 14 nC for at opfylde forventninger til skiftehastighed, samtidig med at du undgår overbelastning.
Hvordan påvirker den termiske ydeevne valg af printkortlayout?
Med en 42 W dissipationsgrænse skal du bruge tilstrækkeligt kobberområde, termiske ledninger og varmeafledende strategier på kortet til at sprede varmen fra TO-252-fliget og opretholde enhedens samlingstemperatur inden for nominelle grænser.
Hvilke miljømæssige grænser er relevante for langvarig drift?
Enheden er klassificeret fra -55 °C til +150 °C til drift, så udvælgelse af komponenter og systemtermisk design skal sikre, at forbindelses- og omgivelsestemperaturer forbliver inden for dette område.
Hvilke monteringshensyn kræves der for pålidelighed?
Overflademonteret TO-252-format kræver korrekt loddefiltedannelse og reflow-profiler for at sikre mekanisk fastgørelse og sikre lav termisk modstand mod printkortet.
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 4.8 A 200 V TO-252
- Vishay Type N-Kanal 4.8 A 200 V Forbedring TO-252, IRFR
- Infineon Type N-Kanal 4.8 A 500 V N TO-252, 500V CoolMOS CE
- Vishay Type N-Kanal 2.6 A 200 V Forbedring TO-252, IRFR
- Vishay Type N-Kanal 15 A 60 V, TO-252
- Infineon Type N-Kanal 5 A 200 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 17 A 200 V HEXFET
- Vishay Type N-Kanal 7.7 A 100 V TO-252
