Vishay Type P-Kanal, Effekt MOSFET, -5.3 A -50 V, 3 Ben, TO-252, IRFR9010

RS-varenummer:: 256-7311P
Producentens varenummer:: IRFR9010TRPBF
Brand:: Vishay

Vishay Type P-Kanal, Effekt MOSFET, -5.3 A -50 V, 3 Ben, TO-252, IRFR9010

Indhold (10 enheder, leveres på en sammenhængende strimmel)*

Kr. 47,87

(ekskl. moms)

Kr. 59,84

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

1.970 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.
10 +	Kr. 4,787

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 256-7311P
Producentens varenummer:: IRFR9010TRPBF
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Produkttype	Effekt MOSFET
	Kanaltype	Type P
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	-5.3A
	Drain source spænding maks. Vds	-50V
	Serie	IRFR9010
	Emballagetype	TO-252
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	0.5Ω
	Portkildespænding maks.	20V
	Gennemgangsspænding Vf	-5.5V
	Effektafsættelse maks. Pd	25W
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	9.1nC
	Driftstemperatur maks.	+150°C
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Højde	2.39mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Produkttype Effekt MOSFET
	Kanaltype Type P
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -5.3A
	Drain source spænding maks. Vds -50V
	Serie IRFR9010
	Emballagetype TO-252
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 0.5Ω
	Portkildespænding maks. 20V
	Gennemgangsspænding Vf -5.5V
	Effektafsættelse maks. Pd 25W
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 9.1nC
	Driftstemperatur maks. +150°C
	Standarder/godkendelser RoHS
	Højde 2.39mm
	Bilindustristandarder Nej

Vishay IRFR9010 seriens Power MOSFET, 50 V maksimal drain source-spænding, 5,3 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IRFR9010TRPBF

Denne effekt-MOSFET er en P-kanals halvlederenhed, der er designet til koblings- og strømstyringsroller i overflademonterede enheder. Den fungerer over et bredt termisk område og er velegnet til kredsløb, der kræver kontrolleret kobling med høj strøm og moderat spændingshåndtering i kompakt TO-252-hus.

Egenskaber og fordele:

• 50 V mærkeværdi fra drain til kilde muliggør omskiftning ved moderat spænding
• 0.5 Ω Rds(on) reducerer ledningstab i belastningsbaner
• 5.3 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter vedvarende strømforsyning
• 9.1 nC typisk gate-opladning giver mulighed for hurtigere gate-drive-respons
• 25 W maks. effekttab muliggør højere termisk belastning
• -55 °C til +150 °C driftsområde understøtter barske miljøer

Anvendelser

• Velegnet til high-side-switching i strømskinner
• Ideel til batteristyring og belastningsfrakobling
• Anvendes sammen med kompakte konvertere, der kræver overflademontering
• Kan bruges til kredsløb til beskyttelse mod omvendt polaritet
• Velegnet til termisk stresstest i elektronikvalidering

Hvilken hustype bruger den, og hvordan påvirker det monteringen?

Den leveres i et TO-252-hus, der er designet til overflademontering, hvilket giver en lavprofil, der er kompatibel med reflow-processer og muliggør termisk kobling til printkobber til varmeafledning.

Hvilke begrænsninger for gate-driver skal der tages hensyn til under designet?

Enheden tåler op til 20 V mellem gate og kilde, så gate-drivere skal forblive inden for dette område for at undgå at beskadige gate-oxid.

Hvordan skal termisk styring tilgås på et printkort?

I betragtning af en maksimal dissipation på 25 W bør designere allokere et tilstrækkeligt kobberareal eller termiske gennemføringer under pakken for at sprede varmen og opretholde forbindelsestemperaturen inden for sikre grænser.

Er der særlige hensyn til switching-ydeevnen?

Den typiske gate-ladning på 9,1 nC indebærer moderat gate-drive-energi

valg af driver skal balancere skiftehastigheden mod EMI og drevstrøm.