Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 6 A 30 V, 8 Ben, PowerPAK ChipFET, SI5936DU

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 45,40

(ekskl. moms)

Kr. 56,75

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.040 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 9,08Kr. 45,40
50 - 95Kr. 8,138Kr. 40,69
100 - 245Kr. 6,358Kr. 31,79
250 - 995Kr. 6,194Kr. 30,97
1000 +Kr. 4,128Kr. 20,64

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
256-7377
Producentens varenummer:
SI5936DU-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

6A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

PowerPAK ChipFET

Serie

SI5936DU

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.04Ω

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

3.5nC

Effektafsættelse maks. Pd

10.4W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Portkildespænding maks.

20V

Driftstemperatur maks.

+150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Højde

0.85mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay SI5936DU seriens MOSFET, 30 V maksimal drain-kildespænding, 6 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SI5936DU-T1-GE3


Denne MOSFET er en overflademonteret N-kanal-transistor, der er designet til koblings- og strømstyringsroller i elektroniske systemer. Den fungerer som en kontakt med lav modstand, der er velegnet til kompakte kortsamlinger, og giver en balance mellem strømhåndtering og mærkespænding til en række industrielle styrings- og strømkonverteringsopgaver.

Egenskaber og fordele:


• 30 V mærkeværdi muliggør omskiftning med mellemspænding til styringskredsløb • 6 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderate belastningsstrømme • 0,04 Ω Rds(on) reducerer ledningstab under drift • 3,5 nC typisk gate-opladning for hurtig, energibesparende omskiftning • 10,4 W effekttab muliggør vedvarende termisk belastning • Maksimal driftstemperatur på +150 °C tåler miljøer med høje temperaturer

Anvendelser


• Velegnet til gate-trins omskiftning af motordrev i automatiseringssystemer • Ideel til DC-DC-konvertere i industrielle strømforsyninger • Anvendes til belastningsswitching i integrerede styringsmoduler • Kan bruges til strømstyring i test- og måleudstyr

Hvilket monteringsformat kræver det på et printkort?


Den bruger en overflademonteret pakke med et 8-benet fodaftryk, der er velegnet til automatiseret samling og kompakte layouts.

Hvordan påvirker gate-ladningsværdien drevkravene?


En typisk 3,5 nC gate-ladning betyder lavere gate-drive-energi og hurtigere overgange sammenlignet med enheder med højere Qg, hvilket reducerer gate-driverens størrelse og koblingstab.

Hvilket omgivelsestemperaturområde kan den modstå?


Den er klassificeret til drift fra -55 °C op til +150 °C, hvilket giver mulighed for brug på tværs af brede termiske forhold uden nedjustering inden for dette område.

Hvilken maksimal gate-til-kilde-spænding kan jeg anvende?


Enheden accepterer op til 20 V mellem gate og kilde, hvilket definerer den tilladte drevamplitude for sikker drift.

Hvilken mekanisk pakketype leveres til varmeafledning?


Den leveres i en PowerPAK ChipFET-pakke, der hjælper med varmeoverførsel for højere dissipationsniveauer.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.