Vishay N-Kanal, MOSFET, 8.9 A 80 V, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3S, SIZ260DT
- RS-varenummer:
- 256-7437P
- Producentens varenummer:
- SIZ260DT-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 703,90
(ekskl. moms)
Kr. 879,90
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 50 - 95 | Kr. 14,078 |
| 100 - 245 | Kr. 11,908 |
| 250 - 995 | Kr. 11,654 |
| 1000 + | Kr. 8,558 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 256-7437P
- Producentens varenummer:
- SIZ260DT-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8.9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Emballagetype | PowerPAIR 3 x 3S | |
| Serie | SIZ260DT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0247Ω | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 33W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6.3nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | +150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bredde | 3.3mm | |
| Længde | 3.3mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8.9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Emballagetype PowerPAIR 3 x 3S | ||
Serie SIZ260DT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0247Ω | ||
Effektafsættelse maks. Pd 33W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6.3nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. +150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bredde 3.3mm | ||
Længde 3.3mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay SIZ260DT seriens MOSFET, 33 W maksimal effekttab, 80 V maksimal drain source-spænding - SIZ260DT-T1-GE3
Denne MOSFET er en overflademonteret N-kanal-transistor, der er designet til strømswitching i kompakt elektronik. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er velegnet til anvendelser, der kræver moderat spændingshåndtering og høj kontinuerlig strømkapacitet. Enheden er i overensstemmelse med RoHS og leveres i en kompakt PowerPAIR 3x3S-pakke til tætte kortlayouts.
Egenskaber og fordele:
• 80 V drain-source-klassificering muliggør mellemspændingsswitching
• 8,9 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter kredsløb med høj belastning
• 0.0247 Ω Rds(on) reducerer ledningstab for effektivitet
• 6.3 nC typisk gate-opladning giver mulighed for hurtigere gate-drive-respons
• 33 W maks. effekttab håndterer termisk stress
• 20 V gate-source-grænse giver bred gate-drive-margen
• 8,9 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter kredsløb med høj belastning
• 0.0247 Ω Rds(on) reducerer ledningstab for effektivitet
• 6.3 nC typisk gate-opladning giver mulighed for hurtigere gate-drive-respons
• 33 W maks. effekttab håndterer termisk stress
• 20 V gate-source-grænse giver bred gate-drive-margen
Anvendelser
• Velegnet til omskiftningstrin for DC-DC-konvertere
• Anvendes til halvbrokonfigurationer med motordrev
• Ideel til strømstyring i telekommunikationsudstyr
• Kan bruges til synkron ensretning i SMPS
• Velegnet til stærkstrømsbelastningskontakter på kompakte kort
• Anvendes til halvbrokonfigurationer med motordrev
• Ideel til strømstyring i telekommunikationsudstyr
• Kan bruges til synkron ensretning i SMPS
• Velegnet til stærkstrømsbelastningskontakter på kompakte kort
Hvilket pakkefodaftryk skal jeg tillade montering?
Enheden leveres i en PowerPAIR 3x3S-pakke til overflademontering med et nominelt fodaftryk på 3,3 mm x 3,3 mm og otte ben, så designpuder skal matche den kompakte form.
Hvordan opfører den sig over ekstreme temperaturer?
Den er specificeret til drift fra -55 °C op til +150 °C og opretholder ledningsførings- og koblingsegenskaber inden for dette temperaturområde.
Hvilke portdrevbegrænsninger skal overholdes?
Den maksimalt tilladte gate-source-spænding er 20 V
Gate-drive-kredsløb skal være designet til at holde Vgs inden for denne grænse for at undgå enhedsbelastning.
Hvordan skal varmestyring overvejes i konstruktioner?
Med en maksimal effekttab på 33 W skal der integreres tilstrækkeligt printkobber, termiske ledninger eller varmeafledere for at holde forbindelsestemperaturen inden for sikre grænser.