Infineon N-Kanal, MOSFET, 130 A 100 V, TO-220, HEXFET
- RS-varenummer:
- 257-5795
- Producentens varenummer:
- IRFS4310TRLPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 50,86
(ekskl. moms)
Kr. 63,58
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 14. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 25,43 | Kr. 50,86 |
| 20 - 48 | Kr. 22,925 | Kr. 45,85 |
| 50 - 98 | Kr. 21,355 | Kr. 42,71 |
| 100 - 198 | Kr. 19,82 | Kr. 39,64 |
| 200 + | Kr. 18,365 | Kr. 36,73 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-5795
- Producentens varenummer:
- IRFS4310TRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 130A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Drain source modstand maks. Rds | 7mΩ | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 330W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 170nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 130A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Drain source modstand maks. Rds 7mΩ | ||
Effektafsættelse maks. Pd 330W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 170nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET har forbedret gate, lavine og dynamisk dV/dt robusthed og fuldt karakteriseret kapacitet og lavine SOA.
Synkron ensretning med høj effektivitet
Blyfri