Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 40 A 20 V, PQFN, HEXFET Nej IRLHM620TRPBF
- RS-varenummer:
- 257-5802
- Producentens varenummer:
- IRLHM620TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 48,99
(ekskl. moms)
Kr. 61,24
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 3.970 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 9,798 | Kr. 48,99 |
| 50 - 120 | Kr. 8,826 | Kr. 44,13 |
| 125 - 245 | Kr. 8,258 | Kr. 41,29 |
| 250 - 495 | Kr. 6,372 | Kr. 31,86 |
| 500 + | Kr. 4,548 | Kr. 22,74 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-5802
- Producentens varenummer:
- IRLHM620TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 40A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | PQFN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.5mΩ | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 37W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype PQFN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.5mΩ | ||
Effektafsættelse maks. Pd 37W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineons strongIRFET-effekt-MOSFET-serie er optimeret til lav RDS og høj strømkapacitet. Enhederne er velegnede til anvendelser med lav frekvens, der kræver ydeevne og robusthed. Den omfattende portefølje henvender sig til en bred vifte af anvendelser, herunder DC-motorer, batteristyringssystemer, invertere og DC-DC-konvertere.
Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere
Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden
Hus til overflademontering i industristandard
Potentielt alternativ til høj RDS(on) SuperSO8-hus
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 40 A 20 V HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 117 A 40 V HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 40 A 30 V HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 259 A 40 V HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 159 A 40 V HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 265 A 40 V HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 40 A 60 V HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 40 A 30 V HEXFET Nej IRLHM630TRPBF
