Infineon N-Kanal, MOSFET, 362 A 40 V, 7 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-varenummer:
- 257-5815P
- Producentens varenummer:
- IRFS7434TRL7PP
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 20 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 622,30
(ekskl. moms)
Kr. 777,88
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 616 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 20 - 48 | Kr. 31,115 |
| 50 - 98 | Kr. 29,02 |
| 100 - 198 | Kr. 27,19 |
| 200 + | Kr. 25,135 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-5815P
- Producentens varenummer:
- IRFS7434TRL7PP
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 362A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.7mΩ | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 245W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 210nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 362A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.7mΩ | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 245W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 210nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET har forbedret gate, lavine og dynamisk dV/dt robusthed og fuldt karakteriseret kapacitet og lavine SOA.
Fuldt karakteriseret kapacitet og Avalanche SOA
Forbedret husdiode dV/dt og dI/dt
Mulighed for blyfri, i overensstemmelse med RoHS