Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 42 A 85 V, TO-252, HEXFET
- RS-varenummer:
- 257-5841P
- Producentens varenummer:
- IRFR2407TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 595,40
(ekskl. moms)
Kr. 744,25
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 2.445 enhed(er) afsendes fra 10. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 50 - 120 | Kr. 11,908 |
| 125 - 245 | Kr. 11,22 |
| 250 - 495 | Kr. 10,338 |
| 500 + | Kr. 6,552 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-5841P
- Producentens varenummer:
- IRFR2407TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 42A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 85V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Drain source modstand maks. Rds | 26mΩ | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 74nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 110W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 42A | ||
Drain source spænding maks. Vds 85V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Drain source modstand maks. Rds 26mΩ | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 74nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 110W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IR MOSFET-serien af effekt-MOSFET'er udnytter gennemprøvede siliciumprocesser, der giver designere en bred portefølje af enheder til at understøtte forskellige anvendelser som f.eks. DC-motorer, invertere, SMPS, belysning, belastningskontakter samt batteridrevne anvendelser. Enhederne fås i en række overflademonterede og gennemhullede pakker med industristandard fodaftryk for at gøre designet nemmere.
Planarcellestruktur til bred SOA
Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere
Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden
Silikoneoptimeret til anvendelser, der skifter nedenfor <100 kHz
Hus til overflademontering i industristandard