Infineon N-Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Forbedring, TO-220, HEXFET
- RS-varenummer:
- 257-9360
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-40-528
- Producentens varenummer:
- IRFB7440PBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 81,61
(ekskl. moms)
Kr. 102,01
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 165 enhed(er) afsendes fra 26. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 16,322 | Kr. 81,61 |
| 50 - 120 | Kr. 14,182 | Kr. 70,91 |
| 125 - 245 | Kr. 13,21 | Kr. 66,05 |
| 250 - 495 | Kr. 12,372 | Kr. 61,86 |
| 500 + | Kr. 11,414 | Kr. 57,07 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-9360
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-40-528
- Producentens varenummer:
- IRFB7440PBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 120A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.50mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | +175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 120A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.50mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. +175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon HEXFET seriens MOSFET, 40 V maksimal drain-source spænding, 120 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IRFB7440PBF
Denne MOSFET er en N-kanals koblingsenhed med gennemgående hul, der er designet til anvendelser med høj strømstyrke. Den fungerer over et bredt temperaturområde og overholder RoHS-miljøbegrænsninger. Pakken letter monteringen på varmeafledende overflader til styring af effekttab og diskret montering i konventionelle kredsløb.
Egenskaber og fordele:
• 2.50 mΩ lav Rds(on) for reducerede ledningstab
• 40 V drain-source-grænse, der muliggør mellemspændingssystemer
• 120 A kontinuerlig strømstyrkehåndtering til vedvarende belastninger
• Forbedringskanalbetjening til nemt gate-drev
• 1,3 V fremadgående spænding, der understøtter effektiv body-diode-ledning
• 40 V drain-source-grænse, der muliggør mellemspændingssystemer
• 120 A kontinuerlig strømstyrkehåndtering til vedvarende belastninger
• Forbedringskanalbetjening til nemt gate-drev
• 1,3 V fremadgående spænding, der understøtter effektiv body-diode-ledning
Anvendelser
• Velegnet til brug af stærkstrøms-MOSFET'er i strømforsyninger
• Ideel til MOSFET'er i motordrev (40 V, 120 A)
• Anvendes sammen med TO-220-MOSFET 40 V-layouts med gennemgående hul i N-kanal
• Kan bruges som en HEXFET 2,5 mΩ MOSFET-erstatning med lav Rds(on)
• Anvendes i kredsløb, der kræver MOSFET-drift ved høje temperaturer (-55 °C til 175 °C)
• Ideel til MOSFET'er i motordrev (40 V, 120 A)
• Anvendes sammen med TO-220-MOSFET 40 V-layouts med gennemgående hul i N-kanal
• Kan bruges som en HEXFET 2,5 mΩ MOSFET-erstatning med lav Rds(on)
• Anvendes i kredsløb, der kræver MOSFET-drift ved høje temperaturer (-55 °C til 175 °C)
Hvilket temperaturområde kan den fungere pålideligt inden for?
Den fungerer over -55 °C til 175 °C og dækker lavtemperaturstarter og højtemperaturdrift.
Hvilken monteringsmetode kræves der til termisk styring?
Den leveres i en TO-220-pakke med gennemgående hul, der er beregnet til fastgørelse til eksterne kølelegemer eller chassis.
Hvilken type kanal og skiftetilstand bruger den?
Enheden er en N-kanals forstærkningstransistor, der kræver et gate-source-drev til ledning.
Er den velegnet til bilindustri-kvalificerede installationer?
Det er ikke specificeret, at det opfylder bilstandarder og bør evalueres i forhold til køretøjsspecifikke krav.
Opfylder den kravene i miljødirektivet?
Den er i overensstemmelse med RoHS, hvilket angiver begrænsning af visse farlige stoffer.