Infineon N-Kanal, MOSFET, 49 A 20 V, PQFN, HEXFET

Indhold 5 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*

Kr. 57,81

(ekskl. moms)

Kr. 72,26

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 3.865 enhed(er) afsendes fra 28. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
5 +Kr. 11,562

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
257-9377P
Producentens varenummer:
IRFH6200TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

49A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Serie

HEXFET

Emballagetype

PQFN

Monteringstype

Overflade

Drain source modstand maks. Rds

15mΩ

Portkildespænding maks.

12V

Effektafsættelse maks. Pd

250W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

155nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

-1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Infineon IRFH-serien er 20 V enkelt n-kanals stærk IRFET-effektmosfet i et PQFN 5x6-hus. Den stærke IRFET Power Mosfet-serie er optimeret til lav RDS (til) og høj strømkapacitet. Enhederne er velegnede til anvendelser med lav frekvens, der kræver ydeevne og robusthed. Den omfattende portefølje henvender sig til en bred vifte af anvendelser, herunder jævnstrømsmotorer, batteristyringssystemer, invertere og dc-dc-konvertere.

Effekthus til overflademontering i industristandard

Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden

Silikoneoptimeret til anvendelser, der skifter under 100 kHz

Blødere husdiode sammenlignet med tidligere siliciumgeneration

Bredt udvalg kan leveres

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.