Infineon N-Kanal, MOSFET, 24 A 200 V Forbedring, TO-263, HEXFET
- RS-varenummer:
- 257-9434
- Producentens varenummer:
- IRFS4620TRLPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rulle af 800 enheder)*
Kr. 5.328,80
(ekskl. moms)
Kr. 6.660,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 19. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | Kr. 6,661 | Kr. 5.328,80 |
| 1600 + | Kr. 6,494 | Kr. 5.195,20 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-9434
- Producentens varenummer:
- IRFS4620TRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 24A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Drain source modstand maks. Rds | 77.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 144W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 25nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 24A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Drain source modstand maks. Rds 77.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 144W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 25nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IRFS-serien er 200 V enkelt n-kanals HEXFET Power Mosfet i et D2 Pak-hus.
Forbedret gate, lavine og dynamisk dV/dt robusthed
Fuldt karakteriseret kapacitet og lavine SOA
Forbedret husdiode dV/dt og dI/dt blyfri kapacitet