Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, IAUC AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 258-0910
- Producentens varenummer:
- IAUC100N04S6N022ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 52,06
(ekskl. moms)
Kr. 65,075
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 14.940 enhed(er) afsendes fra 02. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 10,412 | Kr. 52,06 |
| 50 - 120 | Kr. 8,632 | Kr. 43,16 |
| 125 - 245 | Kr. 8,018 | Kr. 40,09 |
| 250 - 495 | Kr. 7,51 | Kr. 37,55 |
| 500 + | Kr. 6,986 | Kr. 34,93 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 258-0910
- Producentens varenummer:
- IAUC100N04S6N022ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | IAUC | |
| Emballagetype | TDSON | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.2mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 29nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 75W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie IAUC | ||
Emballagetype TDSON | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.2mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 29nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 75W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS 6 40 V power MOS-teknologi i 5 x 6 mm2 ledningsfrit SS08-hus med det højeste kvalitetsniveau og robusthed til brug i biler. En portefølje på 16 produkter gør det muligt for kunden at finde det produkt, der passer bedst til deres applikationer. Alt dette muliggør det bedste i sin klasse produkt FOM og ydeevne på markedet. Det nye SS08-produkt giver 120 A kontinuerlig mærkestrøm, hvilket er >25 % højere end standard DPAK ved næsten halvdelen af sit areal.
N-kanal - forbedringstilstand - normal LevelAEC Q101-kvalificeret
MSL1 op til 260 °C spidsreflow
Grønt produkt (i overensstemmelse med RoHS)
100 % lavendeltestet
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 100 A 40 V Forbedring TDSON, IAUC AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 60 A 40 V Forbedring TDSON, IAUC AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 120 A 40 V Forbedring TDSON, IAUC AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 120 A 60 V Forbedring TDSON, IAUC AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 41 A 60 V Forbedring TDSON, IAUC AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 100 A 80 V Forbedring TDSON, IAUC AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 120 A 40 V Forbedring TSDSON, IAUC AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 120 A 40 V Forbedring SuperSO, IAUC AEC-Q101