Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 5.7 A 800 V N, 3 Ben, TO-220, IPA
- RS-varenummer:
- 258-3776
- Producentens varenummer:
- IPA80R1K0CEXKSA2
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 34,11
(ekskl. moms)
Kr. 42,638
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 492 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 17,055 | Kr. 34,11 |
| 20 - 48 | Kr. 16,23 | Kr. 32,46 |
| 50 - 98 | Kr. 15,56 | Kr. 31,12 |
| 100 - 198 | Kr. 14,775 | Kr. 29,55 |
| 200 + | Kr. 13,84 | Kr. 27,68 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 258-3776
- Producentens varenummer:
- IPA80R1K0CEXKSA2
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5.7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Serie | IPA | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 950mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 32W | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 31nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5.7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Serie IPA | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 950mΩ | ||
Kanalform N | ||
Effektafsættelse maks. Pd 32W | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 31nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 800 V CoolMOS CE er en højtydende enhedsserie med 800 volt nedbrydningsspænding. CE er rettet mod forbrugerelektronik samt belysning. Den nye 800 V udvalgsserie er specielt rettet mod LED-anvendelser. Med denne specifikke CoolMOS-serie kombinerer Infineon lang erfaring som den førende Super Junction MOSFET-leverandør med bedste i sin klasse innovation.
Lav specifik modstand i tændt tilstand
Meget lav energilagring i udgangskapacitet ved 400 V
Høj pålidelighed
Brugervenlighed
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 5.7 A 800 V N TO-220, IPA
- Infineon Type N-Kanal 4.5 A 800 V N TO-220, IPA
- Infineon Type N-Kanal 14.1 A N IPA
- Infineon Type N-Kanal 10.1 A N IPA
- Infineon Type N-Kanal 9.9 A N IPA
- Infineon Type N-Kanal 44 A 100 V N IPA
- Infineon Type N-Kanal 26 A 650 V N IPA
- Infineon Type N-Kanal 66 A 650 V N IPA