Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 211 A 650 V N, TO-263, iPB Nej IPBE65R050CFD7AATMA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 59,17

(ekskl. moms)

Kr. 73,96

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 926 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 59,17
10 - 24Kr. 56,25
25 - 49Kr. 53,78
50 - 99Kr. 51,46
100 +Kr. 47,95

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
258-3827
Producentens varenummer:
IPBE65R050CFD7AATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

211A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

TO-263

Serie

iPB

Monteringstype

Overflade

Drain source modstand maks. Rds

40.7mΩ

Kanalform

N

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon CoolMOS C3A-teknologien er designet til at opfylde de stigende krav til højere systemspændinger inden for elektriske køretøjer, som f.eks. PHEV'er og BEV'er.

Klassens bedste kvalitet og pålidelighed

Højere nedbrydningsspænding

Høj spidsstrømkapacitet

Relaterede links