Infineon N-Kanal, MOSFET, 149 A 30 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ

Denne MOSFET er en overflademonteret N-kanals effekttransistor, der er designet til omskiftning med høj strømstyrke i kompakte systemer. Den fungerer over et bredt termisk område og leveres i et 8-benet TSDSON-hus, der er velegnet til samlinger med begrænset plads. Enheden er beregnet til anvendelser, der kræver lavt ledningstab og robust termisk tolerance i krævende industrielle miljøer.

• 2.50 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab under drift med høj strømstyrke
• 149 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter omskiftning af kraftig belastning
• 30 V drain-source-klassificering muliggør lavspændingsstrømkonvertering
• Område fra -55 °C til +150 °C opretholder ydeevnen over temperaturer
• 8-benet TSDSON-footprint muliggør kompakt overflademontering

• Velegnet til DC-DC-omformersteder med høj strømstyrke
• Ideel til strømfordeling i industrielle styreenheder
• Anvendes sammen med motordrevskredsløb, der kræver lav Rds(on)
• Kan bruges til serverstrømskinner og belastningskontakter
• Velegnet til kompakte strømstyringsmoduler

Den bruger en N-kanalkonfiguration, der er velegnet til switching på lav side.

Den kræver overflademonteret placering, der er kompatibel med TSDSON-loddeprocesser.

Det er ikke udpeget som en certificering, der overholder bilstandarden.

Den er i overensstemmelse med RoHS-direktivet, der begrænser visse farlige materialer.