Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 13.8 A 600 V N, TO-220, IPA
- RS-varenummer:
- 259-1538
- Producentens varenummer:
- IPA60R280P6XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 419,65
(ekskl. moms)
Kr. 524,55
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 300 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 8,393 | Kr. 419,65 |
| 100 - 200 | Kr. 7,972 | Kr. 398,60 |
| 250 - 450 | Kr. 7,637 | Kr. 381,85 |
| 500 - 950 | Kr. 7,134 | Kr. 356,70 |
| 1000 + | Kr. 6,714 | Kr. 335,70 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 259-1538
- Producentens varenummer:
- IPA60R280P6XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 13.8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | IPA | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Kanalform | N | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 13.8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie IPA | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Kanalform N | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 600 V coolmos p6-effekttransistor er en revolutionerende teknologi til højspændings-MOSFET'er og er designet i overensstemmelse med super junction-princippet (SJ) og pionerudviklet af Infineon-teknologier. Den har ekstremt lav kobling og ledningsevne, tab gør koblingsanvendelser endnu mere effektive, mere kompakte, lettere og køligere.
Øget MOSFET dv/dt robusthed
Ekstremt lave tab på grund af meget lav FOM Rdson Qg og Eoss
Meget høj omskiftningsrobusthed
Let at bruge/drive