Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 122 A 150 V, 8 Ben, HSOG, IPT Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 1800 enheder)*

Kr. 29.341,80

(ekskl. moms)

Kr. 36.676,80

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 13. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
1800 +Kr. 16,301Kr. 29.341,80

*Vejledende pris

RS-varenummer:
259-2739
Producentens varenummer:
IPTG063N15NM5ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

122A

Drain source spænding maks. Vds

150V

Serie

IPT

Emballagetype

HSOG

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

6.3mΩ

Effektafsættelse maks. Pd

214W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

50nC

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

0.84V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS, IEC 61249-2-21

Bredde

8.75 mm

Længde

10.1mm

Højde

2.4mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon OptiMOS 5 industrielle effekt-MOSFET-enheder i 80 V og 100 V er designet til synkron ensretning i telekommunikation og server strømforsyning, men også det ideelle valg til andre anvendelser som f.eks. solcelleanlæg, lavspændingsdrev og bærbar computeradapter. Med en bred pakkeportefølje giver denne serie af effekt-MOSFET'er branchens laveste RDS(on). Et af de største bidrag til denne brancheførende fortjenstfaktor (FOM) er den lave modstand i tændt tilstand med en værdi så lav som 2,7 mΩ i SuperSO8-huset, der giver det højeste niveau af effekttæthed og effektivitet.

N-kanal, normalt niveau

Meget lav modstand ved tændt RDS(on)

Fremragende termisk modstand

100 % lavine-testet

Blyfri ledningsbelægning; I overensstemmelse med RoHS

Halogenfri i overensstemmelse med IEC61249-2-22

Relaterede links