Nexperia N-Kanal, MOSFET, 410 A 50 V, SOT1235 PSMNR90-50SLH

Nexperia logikniveau gate-driver med N-kanal-forbedringstilstand MOSFET i 175 °C LFPAK88-hus. En del af ASFET'erne til batteriisolering og jævnstrømsmotorstyring og ved hjælp af Nexperias unikke Schottky Plus-teknologi giver høj effektivitet og lav spidseffekt, der normalt er forbundet med MOSFET'er med en integreret Schottky- eller Schottky-lignende diode, men uden problematisk høj lækstrøm. ASFET er særligt velegnet til 36 V batteridrevne anvendelser, der kræver stærk lavinekapacitet, ydeevne i lineær tilstand, brug ved høje skiftefrekvenser og også sikker og pålidelig omskiftning ved høj belastningsstrøm.

Meget hurtig omskiftning med blød husdiode-genopretning
Meget stærk lineær tilstand