Infineon N-Kanal, MOSFET, 0.12 A 600 V Udtømning, 4 Ben, PG-SOT223, BSP AEC-Q101

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold 25 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*

Kr. 423,35

(ekskl. moms)

Kr. 529,20

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 7.030 enhed(er) afsendes fra 21. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
25 - 45Kr. 16,934
50 - 120Kr. 15,918
125 - 245Kr. 14,78
250 +Kr. 13,794

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
260-5075P
Producentens varenummer:
BSP135H6906XTSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

0.12A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

PG-SOT223

Serie

BSP

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

60mΩ

Kanalform

Udtømning

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon N-kanals MOSFET-transistor fungerer i udtømningstilstand. Dens maksimale effekttab er 1,8 W. Denne MOSFET-transistor har en mindste driftstemperatur på -55 °C og maks. 150 °C.

Udtømningstilstand

dv eller dt mærkeværdi

Fås med V GS(th) indikator på hjul

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.