Infineon N-Kanal, MOSFET, 139 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, IPD

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*

Kr. 929,80

(ekskl. moms)

Kr. 1.162,25

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.940 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
50 - 120Kr. 18,596
125 - 245Kr. 17,248
250 - 495Kr. 16,126
500 +Kr. 12,356

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
262-5863P
Producentens varenummer:
IPD028N06NF2SATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

139A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

IPD

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.15mΩ

Kanalform

Forbedring

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon N-kanals effekttransistor er optimeret til en bred vifte af anvendelser, og den er 100 procent lavine-testet.

Blyfri ledningsbelægning

I overensstemmelse med RoHS

Halogenfri i overensstemmelse med IEC61249-2-21

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.