Infineon N-Kanal, MOSFET, 1.9 A 150 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- RS-varenummer:
- 262-6736P
- Producentens varenummer:
- IRF7465TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 125 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 637,63
(ekskl. moms)
Kr. 797,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 3.850 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 125 - 225 | Kr. 5,101 |
| 250 - 600 | Kr. 4,88 |
| 625 - 1225 | Kr. 4,674 |
| 1250 + | Kr. 3,106 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 262-6736P
- Producentens varenummer:
- IRF7465TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1.9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 280mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.5W | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 10nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.75mm | |
| Bredde | 4mm | |
| Længde | 5mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 280mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.5W | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 10nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.75mm | ||
Bredde 4mm | ||
Længde 5mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon power MOSFET har en lav gate-til-dræn-belastning for at reducere skiftetabet. Den er velegnet til brug sammen med højfrekvente DC-DC-konvertere.
Fuldt karakteriseret lavine spænding og strøm