Infineon N-Kanal, MOSFET, 45 A 75 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- RS-varenummer:
- 262-6768P
- Producentens varenummer:
- IRFR2607ZTRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 804,80
(ekskl. moms)
Kr. 1.006,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 5.750 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 50 - 120 | Kr. 16,096 |
| 125 - 245 | Kr. 15,05 |
| 250 - 495 | Kr. 13,988 |
| 500 + | Kr. 8,886 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 262-6768P
- Producentens varenummer:
- IRFR2607ZTRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 45A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 75V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 22mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 34nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 110W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 45A | ||
Drain source spænding maks. Vds 75V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 22mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 34nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 110W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon Power MOSFET benytter de nyeste behandlingsteknikker til at opnå ekstremt lav modstand pr. siliciumareal. Dette design har yderligere funktioner som f.eks. 175 °C samledriftstemperatur, hurtig skiftehastighed og forbedret gentagen lavinebelastning.
Meget lav modstand ved tændt
Gentagende lavine er tilladt op til Tjmax