Infineon N-Kanal, MOSFET, 16 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-251, HEXFET

Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
262-6776P
Producentens varenummer:
IRFU3910PBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

16A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

TO-251

Serie

HEXFET

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

115mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

29.3nC

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20V

Effektafsættelse maks. Pd

52W

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bredde

6.22mm

Længde

6.73mm

Højde

2.39mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon Power MOSFET benytter de nyeste behandlingsteknikker til at opnå ekstremt lav modstand ved tænding pr. siliciumareal. Den har meget lav modstand ved tændt. Den giver designeren en ekstremt effektiv og pålidelig enhed til brug i en lang række anvendelser.

Hurtig omskiftning

Fuldt lavineret

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.