Infineon N-Kanal, MOSFET, 3.2 A 30 V Forbedring, 6 Ben, Micro6, HEXFET
- RS-varenummer:
- 262-6785
- Producentens varenummer:
- IRLMS1503TRPBF
- Brand:
- Infineon
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om denne vare kommer på lager igen – den er ved at blive udfaset af producenten
- RS-varenummer:
- 262-6785
- Producentens varenummer:
- IRLMS1503TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | Micro6 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 200mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6.4nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.7W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype Micro6 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 200mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6.4nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.7W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon Power MOSFET benytter avancerede behandlingsteknikker til at opnå ekstremt lav modstand ved tændt pr. siliciumareal. Den kombineres med den hurtige skiftehastighed og det robuste enhedsdesign, som strøm-MOSFET'en er kendt for, hvilket giver designeren en ekstremt effektiv og pålidelig enhed til brug i en lang række anvendelser.
Meget lav Rds
N-kanal