ROHM N-Kanal, MOSFET, 8 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, RD3L080SN
- RS-varenummer:
- 264-3811P
- Producentens varenummer:
- RD3L080SNTL1
- Brand:
- ROHM
Få rabat ved storkøb
Tilføj 100 flere for at gemme Kr. 128,70
Se mængderabatterIndhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 311,55
(ekskl. moms)
Kr. 389,45
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 60 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 50 - 90 | Kr. 6,231 | - |
| 100 - 240 | Kr. 4,944 | Kr. 128,70 |
| 250 - 990 | Kr. 4,855 | Kr. 344,00 |
| 1000 + | Kr. 3,725 | Kr. 2.506,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 264-3811P
- Producentens varenummer:
- RD3L080SNTL1
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | RD3L080SN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 80mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 15W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 9.4nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | Pb-free lead plating, RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie RD3L080SN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 80mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 15W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 9.4nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser Pb-free lead plating, RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
ROHM Power MOSFET med lav modstand ved tænding, velegnet til omskiftning, drevkredsløb kan være enkle og blyfri belægning og i overensstemmelse med RoHS.
Hurtig skiftehastighed
Parallel brug er let