ROHM N-Kanal, MOSFET, 4 A 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-346, RQ5E040TN
- RS-varenummer:
- 264-3829P
- Producentens varenummer:
- RQ5E040TNTL
- Brand:
- ROHM
Få rabat ved storkøb
Tilføj 100 flere for at gemme Kr. 48,20
Se mængderabatterIndhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 102,20
(ekskl. moms)
Kr. 127,75
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 2.925 enhed(er) afsendes fra 09. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 50 - 75 | Kr. 2,044 | - |
| 100 - 225 | Kr. 1,562 | Kr. 48,20 |
| 250 - 975 | Kr. 1,529 | Kr. 128,75 |
| 1000 + | Kr. 1,227 | Kr. 817,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 264-3829P
- Producentens varenummer:
- RQ5E040TNTL
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | SOT-346 | |
| Serie | RQ5E040TN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 48mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 12V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 5.9nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | Pb-free lead plating, RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype SOT-346 | ||
Serie RQ5E040TN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 48mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 12V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 5.9nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser Pb-free lead plating, RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- TH
ROHM MOSFET med lille signal er en MOSFET med lav modstand ved tænding, velegnet til omskiftning, det er et lille hus til overflademontering. Blyfri ledningsbelægning; RoHS-kompatibel og AEC-Q101-kvalificeret.
Indbygget G-S-beskyttelsesdiode