Microchip Type P-Kanal, MOSFET, -175 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-92, TP0620
- RS-varenummer:
- 264-8927P
- Producentens varenummer:
- TP0620N3-G
- Brand:
- Microchip
Der er mulighed for mængderabat
Indhold 50 enheder (leveres i en pose)*
Kr. 514,60
(ekskl. moms)
Kr. 643,25
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 500 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 50 - 95 | Kr. 10,292 |
| 100 - 245 | Kr. 9,544 |
| 250 - 495 | Kr. 9,35 |
| 500 + | Kr. 9,156 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 264-8927P
- Producentens varenummer:
- TP0620N3-G
- Brand:
- Microchip
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | -175A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Emballagetype | TO-92 | |
| Serie | TP0620 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -175A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Emballagetype TO-92 | ||
Serie TP0620 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Microchip P-Channel MOSFET med lav tærskel, forbedringstilstand (normalt slukket) anvender en vertikal DMOS-struktur og en velprøvet siliciumgate-fremstillingsproces. Denne kombination frembringer en enhed med effekthåndteringsmulighederne for bipolære transistorer og den høje indgangsimpedans og positive temperaturkoefficient, der er iboende i MOS-enheder. Denne enhed er karakteristisk for alle MOS-strukturer og er fri for termisk flugt og termisk induceret sekundær sammenbrud. Vertikale DMOS FET'er er ideelle til en bred vifte af koblings- og forstærkningsanvendelser, hvor meget lav tærskelspænding, høj nedbrydningsspænding, høj indgangsimpedans, lav indgangskapacitet og hurtige koblingshastigheder ønskes.
Lav tærskelværdi (-2,4 V maks.)
Høj indgangsimpedans
Lav indgangskapacitet (85 pF typisk)
Hurtige skiftehastigheder
Lav modstand ved tændt
Uden sekundær afbrydelse
Lav indgangs- og udgangslækage