Microchip P-Kanal, MOSFET 200 V, TO-92 TP0620N3-G

Microchip P-Channel MOSFET med lav tærskel, forbedringstilstand (normalt slukket) anvender en vertikal DMOS-struktur og en velprøvet siliciumgate-fremstillingsproces. Denne kombination frembringer en enhed med effekthåndteringsmulighederne for bipolære transistorer og den høje indgangsimpedans og positive temperaturkoefficient, der er iboende i MOS-enheder. Denne enhed er karakteristisk for alle MOS-strukturer og er fri for termisk flugt og termisk induceret sekundær sammenbrud. Vertikale DMOS FET'er er ideelle til en bred vifte af koblings- og forstærkningsanvendelser, hvor meget lav tærskelspænding, høj nedbrydningsspænding, høj indgangsimpedans, lav indgangskapacitet og hurtige koblingshastigheder ønskes.

Lav tærskelværdi (-2,4 V maks.)
Høj indgangsimpedans
Lav indgangskapacitet (85 pF typisk)
Hurtige skiftehastigheder
Lav modstand ved tændt
Uden sekundær afbrydelse
Lav indgangs- og udgangslækage