ROHM N-Kanal, MOSFET, 23 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, R6055VNX
- RS-varenummer:
- 265-5420P
- Producentens varenummer:
- R6055VNXC7G
- Brand:
- ROHM
Få rabat ved storkøb
Tilføj 100 flere for at gemme Kr. 419,00
Se mængderabatterIndhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 1.361,50
(ekskl. moms)
Kr. 1.702,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 947 enhed(er) afsendes fra 09. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 50 - 99 | Kr. 27,23 | - |
| 100 - 249 | Kr. 23,04 | Kr. 419,00 |
| 250 - 499 | Kr. 22,81 | Kr. 1.105,00 |
| 500 + | Kr. 22,51 | Kr. 2.360,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 265-5420P
- Producentens varenummer:
- R6055VNXC7G
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 23A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | R6055VNX | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.071Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 100W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | Pb-Free Plating, RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 23A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie R6055VNX | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.071Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 100W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser Pb-Free Plating, RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
ROHM effekt MOSFET med lav modstand ved tænding og højt effekthus, som er velegnet til koblingskredsløb, enkeltcellebatterier og mobile anvendelser.
Hurtig omvendt genopretningstid (trr)
Lav modstand ved tændt
Hurtig skiftehastighed
Drevkredsløb kan være enkle