Vishay N-Kanal, MOSFET, 34 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, SIHB
- RS-varenummer:
- 268-8293P
- Producentens varenummer:
- SIHB085N60EF-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 10 enheder (leveres i et rør)*
Kr. 531,10
(ekskl. moms)
Kr. 663,90
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 10 - 18 | Kr. 53,11 |
| 20 - 98 | Kr. 52,025 |
| 100 - 498 | Kr. 43,46 |
| 500 + | Kr. 36,99 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 268-8293P
- Producentens varenummer:
- SIHB085N60EF-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 34A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | SIHB | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.084Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 63nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 184W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 10.67mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 34A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie SIHB | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.084Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 63nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 184W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 10.67mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay SIHB seriens MOSFET, 650 V maksimal drain-kildespænding, 34 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SIHB085N60EF-GE3
Denne højspændings N-kanal MOSFET er designet til strømkobling i krævende industrielle og elektroniske systemer. Den fungerer som en forstærkningstransistor, der er velegnet til overflademontering i anvendelser, der kræver robust spændingshåndtering og høj termisk tolerance. Enheden understøtter konventionelle portdrevniveauer og er beregnet til brug, hvor der kræves kontrolleret ledning og hurtig omskiftning.
Egenskaber og fordele:
• 650 V drain-klassificering for højspændingskontaktkapacitet
• 34 A kontinuerlig afløbsstrøm til drift med kraftig belastning
• 0,084 Ω Rds(on) minimerer ledningstab i kredsløb
• 184 W effekttab muliggør vedvarende termisk belastningshåndtering
• 63 nC typisk gate-ladning til optimering af koblingseffektivitet
• 30 V gate-tolerance understøtter standard gate-drivspændinger
• 34 A kontinuerlig afløbsstrøm til drift med kraftig belastning
• 0,084 Ω Rds(on) minimerer ledningstab i kredsløb
• 184 W effekttab muliggør vedvarende termisk belastningshåndtering
• 63 nC typisk gate-ladning til optimering af koblingseffektivitet
• 30 V gate-tolerance understøtter standard gate-drivspændinger
Anvendelser
• Velegnet til SMPS-højspænding på primær side
• Ideel til industrielle motordrev invertertrin
• Anvendes til effektfaktorkorrektion af frontend-kontakter
• Kan bruges til højspændingsrelæ- og kontaktordriverkredsløb
• Ideel til industrielle motordrev invertertrin
• Anvendes til effektfaktorkorrektion af frontend-kontakter
• Kan bruges til højspændingsrelæ- og kontaktordriverkredsløb
Hvilket temperaturområde kan den arbejde inden for?
Den er normeret til drift ned til -55 °C og op til maks. 150 °C, hvilket muliggør brug på tværs af brede termiske miljøer.
Hvordan er pakken velegnet til monteringsprocesser?
Enheden leveres i en TO-263-pakke til overflademontering med tre ben, hvilket letter automatiseret loddemontering og termisk styring på strømprintkort.
Hvad er grænsen for krav til gate-drev?
Den maksimalt tilladte gate-til-kilde-spænding er 30 V, så gate-drive-kredsløb bør designes til at forblive inden for denne tærskel.
Følger komponenten miljødirektiver?
Den er i overensstemmelse med RoHS-kravene, hvilket angiver fraværet af visse begrænsede stoffer i dens konstruktion.