Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Forbedring, 4 Ben, PowerPAK 8 x 8 L, SIHH
- RS-varenummer:
- 268-8301
- Producentens varenummer:
- SIHH085N60EF-T1GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 71,66
(ekskl. moms)
Kr. 89,58
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 49 | Kr. 71,66 |
| 50 - 99 | Kr. 64,48 |
| 100 - 249 | Kr. 52,81 |
| 250 + | Kr. 51,69 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 268-8301
- Producentens varenummer:
- SIHH085N60EF-T1GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 30A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | PowerPAK 8 x 8 L | |
| Serie | SIHH | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.085Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 184W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 63nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 8mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 30A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype PowerPAK 8 x 8 L | ||
Serie SIHH | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.085Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 184W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 63nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 8mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
Vishay SIHH seriens MOSFET, 650 V drain source spænding, 30 A drain strøm - SIHH085N60EF-T1GE3
Denne n-kanal MOSFET er en højspændings koblingsenhed, der er designet til brug i strømkonverterings- og styringssystemer i industrielle og automatiseringsmiljøer. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er beregnet til overflademonterede enheder, hvor der kræves robust højspændingshåndtering og effektiv omskiftning.
Egenskaber og fordele:
• 650 V drain-klassificering, der muliggør højspændingskontaktkapacitet • 30 A kontinuerlig afløbsstrøm, der understøtter vedvarende belastningsdrift • 0,085 Ω Rds(on) reducerer ledningstab i strømveje • 63 nC typisk gate-ladning, der giver mulighed for forudsigelig omskiftning • 184 W effekttab til håndtering af høj termisk belastning • 150 °C maksimal samletemperatur til brug ved høje temperaturer
Anvendelser
• Velegnet til industrielle motordrevinvertere, der kræver højspændingsenheder • Anvendes til strømforsyninger i automatiseringsudstyr med høje krav til kobling • Ideel til switch-mode-konvertere, der håndterer betydeligt effekttab • Kan bruges til udskiftning af højspændingsrelæer i elektriske kontrolpaneler
Hvilken monteringstype kræver den på et kort?
Den leveres i en PowerPAK 8x8-pakke til overflademontering, der kræver kompatible loddemønster til termisk og elektrisk forbindelse.
Hvordan påvirker gate-spændingsgrænsen styringskredsløb?
Porten skal drives inden for ±30 V for at forhindre dielektrisk portbelastning, så portdrivere skal give passende spændingsmargener og beskyttelse.
Hvilke termiske forhold skal der tages hensyn til under designet?
Med en dissipationsgrad på 184 W og maksimal driftstemperatur på 150 °C er termisk styring som f. eks. varmespredning og tilstrækkeligt printkobber nødvendigt for at opretholde sikre samlingstemperaturer.
Hvilken kompleksitet i benkonfigurationen skal designere forvente?
Enheden har fire ben, der kræver korrekt tildeling i layout for at sikre lavinduktionstilslutninger til drain-, kilde- og gatefunktioner.
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 30 A 650 V Forbedring PowerPAK 8 x 8 L, SIHH
- Vishay Type N-Kanal 13 A 650 V Forbedring PowerPAK 8 x 8 L, SIHH
- Vishay Type N-Kanal 18 A 600 V Forbedring PowerPAK 8 x 8 L, SIHH
- Vishay N-kanal-Kanal 36 A 650 V Forbedring PowerPAK SO-8, SiH
- Vishay N-kanal-Kanal 34 A 650 V Forbedring PowerPAK SO-8, SiH
- Vishay N-kanal-Kanal 48 A 650 V Forbedring PowerPAK SO-8, SiH
- Vishay Type N-Kanal 23 A 650 V Forbedring PowerPAK 8 x 8 L, EF
- Vishay Type N-Kanal 16 A 650 V Forbedring PowerPAK 8 x 8 L, EF