Vishay N-Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Forbedring, 4 Ben, PowerPAK 8 x 8 L, SIHH

RS-varenummer:: 268-8301
Producentens varenummer:: SIHH085N60EF-T1GE3
Brand:: Vishay

Vishay N-Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Forbedring, 4 Ben, PowerPAK 8 x 8 L, SIHH

Kan ikke leveres i øjeblikket

Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.

RS-varenummer:: 268-8301
Producentens varenummer:: SIHH085N60EF-T1GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	30A
	Drain source spænding maks. Vds	650V
	Emballagetype	PowerPAK 8 x 8 L
	Serie	SIHH
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	4
	Drain source modstand maks. Rds	0.085Ω
	Kanalform	Forbedring
	Portkildespænding maks.	30V
	Effektafsættelse maks. Pd	184W
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	63nC
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Længde	8mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 30A
	Drain source spænding maks. Vds 650V
	Emballagetype PowerPAK 8 x 8 L
	Serie SIHH
	Monteringstype Overflade
	Benantal 4
	Drain source modstand maks. Rds 0.085Ω
	Kanalform Forbedring
	Portkildespænding maks. 30V
	Effektafsættelse maks. Pd 184W
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 63nC
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Standarder/godkendelser RoHS
	Længde 8mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - SIHH085N60EF-T1GE3

COO (Country of Origin):: TW

Vishay SIHH seriens MOSFET, 650 V maksimal drain-kildespænding, 30 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SIHH085N60EF-T1GE3

Denne MOSFET er en højspændings N-kanals koblingstransistor, der er designet til overflademonterede strømforsyningsanvendelser. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er velegnet til systemer, der kræver robust drain-source-spændingstolerance og betydelig kontinuerlig strømhåndtering. Enheden opfylder RoHS-kravene og leveres i et kompakt PowerPAK 8x8-hus til kortmontering med lav profil.

Egenskaber og fordele:

• 650 V drain-source mærkeværdi til skift ved forøget spænding
• 30 A kontinuerlig afløbsstrøm til vedvarende belastningshåndtering
• 0.085 Ω Rds(on) for reducerede ledningstab
• 184 W maks. tab for høj termisk margen
• ±30 V gate-tolerance til at passe til forskellige gate-drive-niveauer
• 63 nC gate-ladning, der muliggør forudsigelig koblingsenergi

Anvendelser

• Velegnet til højspændingsstrømforsyninger og invertere
• Ideel til omskiftningstrin foran på motordrev
• Anvendes sammen med DC-DC-konvertere, der kræver høj effekthåndtering
• Kan bruges til industrielle switch-mode strømforsyninger
• Velegnet til telekommunikations- og serverstrømkonverteringsmoduler

Hvilket termisk miljø tåler den under drift?

Enheden er specificeret til at fungere fra -55 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for anvendelse under krævende termiske forhold, når den parres med passende termisk styring.

Hvordan understøtter pakken implementering på kortniveau?

PowerPAK 8x8-formatet til overflademontering giver et lavprofilsaftryk med en 4-benet opsætning, der er velegnet til automatiseret samling og effektiv termisk føring af printkort.

Hvad er kanaltilstanden, og dens betydning for kredsløbsdesign?

Det er en N-kanal-enhed med forbedringstilstand, så den kræver et positivt gate-til-kilde-drev til at tænde, hvilket muliggør enkle high-side- eller low-side-switchingtopologier med passende gate-drivere.

Er der miljømæssige eller lovgivningsmæssige hensyn til materialer?

Komponenten er i overensstemmelse med RoHS-materialerestriktioner, hvilket angiver, at den er fri for visse begrænsede stoffer for overensstemmelsesdrevne design.