Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, SIHK

RS-varenummer:: 268-8306
Producentens varenummer:: SIHK085N60EF-T1GE3
Brand:: Vishay

Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, SIHK

Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*

Kr. 57.708,00

(ekskl. moms)

Kr. 72.136,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

2.000 enhed(er) afsendes fra 23. juli 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
2000 +	Kr. 28,854	Kr. 57.708,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 268-8306
Producentens varenummer:: SIHK085N60EF-T1GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	Type N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	30A
	Drain source spænding maks. Vds	650V
	Emballagetype	PowerPAK 10 x 12
	Serie	SIHK
	Monteringstype	Printmontering
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	0.085Ω
	Kanalform	Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Effektafsættelse maks. Pd	184W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	63nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Længde	9.9mm
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype Type N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 30A
	Drain source spænding maks. Vds 650V
	Emballagetype PowerPAK 10 x 12
	Serie SIHK
	Monteringstype Printmontering
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 0.085Ω
	Kanalform Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Effektafsættelse maks. Pd 184W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 63nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Længde 9.9mm
	Standarder/godkendelser RoHS
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - SIHK085N60EF-T1GE3

COO (Country of Origin):: CN

Vishay SIHK seriens MOSFET, 650 V maksimal drain-kildespænding, 30 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SIHK085N60EF-T1GE3

Denne MOSFET er en højspændings N-kanals koblingsenhed, der er designet til strømkonvertering og styring i industriel elektronik. Den fungerer som en forstærkningstransistor, der er velegnet til printkortmontering, og er beregnet til krævende anvendelser, der kræver robust termisk tolerance og betydelig strømhåndtering.

Egenskaber og fordele:

• 650 V-klassificering muliggør højspændingskoblingsevne • 30 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter kraftig belastning • 0,085 Ω Rds(on) reducerer ledningstab ved omskiftning • 63 nC typisk gate-ladning muliggør forudsigeligt gate-drive-design • 184 W effekttab muliggør betydelig varmegennemstrømning • 150 °C maksimal samletemperatur understøtter drift ved høje temperaturer

Anvendelser

• Velegnet til højspændings DC-DC-konvertere i automatiseringssystemer • Ideel til frontender til motordrev, der kræver høj strømstyrke • Anvendes til switch-mode strømforsyninger i industriel elektronik • Kan bruges til invertertrin i strømstyringsudstyr

Hvilke gate-drive-begrænsninger skal der overvejes ved brug?

Enheden tåler gate-spændinger på op til 30 V og udviser en typisk samlet gate-ladning på 63 nC, så drivere skal levere tilstrækkelig opladning og slew-styring inden for denne spændingsgrænse.

Hvordan skal termisk styring arrangeres på printkortet?

Med en maksimal dissipation på 184 W og høj samlingsevne giver den et betydeligt kobberareal, termiske ledninger og et passende kølepladefastgørelsesmønster for at opretholde sikre driftstemperaturer.

Hvilket omgivelsestemperaturområde tåler den under drift?

Den fungerer ned til -55 °C og op til maks. 150 °C, hvilket giver mulighed for implementering på tværs af brede omgivelses- og forhøjede forbindelsesscenarier.

Hvilken monteringsmetode er nødvendig for pålidelig montering?

Delen er beregnet til printkortmontering i en PowerPAK 10 x 12-pakke med et 8-benet interface, så der bør anvendes standardloddeprocesser til strømpakker.