Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, SIHK
- RS-varenummer:
- 268-8307
- Producentens varenummer:
- SIHK085N60EF-T1GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 71,66
(ekskl. moms)
Kr. 89,58
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 2.000 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 49 | Kr. 71,66 |
| 50 - 99 | Kr. 64,48 |
| 100 - 249 | Kr. 52,88 |
| 250 + | Kr. 51,69 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 268-8307
- Producentens varenummer:
- SIHK085N60EF-T1GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 30A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | PowerPAK 10 x 12 | |
| Serie | SIHK | |
| Monteringstype | Printmontering | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.085Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 63nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 184W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 9.9mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 30A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype PowerPAK 10 x 12 | ||
Serie SIHK | ||
Monteringstype Printmontering | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.085Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 63nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 184W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 9.9mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay EF-seriens effekt MOSFET med hurtig husdiode og 4-generations E-seriens teknologi, som har reduceret skifte- og ledningstab, og den bruges i anvendelser som f.eks. switch-mode strømforsyninger, serverstrømforsyninger og korrekt effektfaktor
Lav effektiv kapacitet
Nominel lavineenergi
Lavt tal for fortjeneste
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 30 A 650 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, SIHK
- Vishay Type N-Kanal 47 A 650 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, SIHK
- Vishay Type N-Kanal 24 A 650 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, SIHK
- Vishay Type N-Kanal 16 A 650 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, SIHK
- Vishay Type N-Kanal 21 A 650 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, SIHK
- Vishay Type N-Kanal 18 A 600 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, SIHK
- Vishay N-kanal-Kanal 34 A 650 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, SF Series
- Vishay Type N-Kanal 23 A 650 V Forbedring PowerPAK 8 x 8 L, EF