Vishay N-Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, SIHK

Denne MOSFET er en højspændingstransistor, der er designet til effektkonvertering og koblingsanvendelser, hvor der kræves forhøjet spænding og termisk modstandsdygtighed. Det er en PCB-monteret, N-kanal-forbedringsenhed, der er optimeret til mellemstrømskredsløb med høj spænding i krævende termiske miljøer. Komponenten er i overensstemmelse med RoHS-direktiver og er beregnet til ingeniører, der specificerer robuste diskrete effekttransistorer til industrielle design og effektelektronik.

• 650 V maksimal afløbsspænding giver bredt højspændingshovedrum
• 30 A kontinuerlig drænstrøm understøtter betydelige belastningsstrømme
• 0.085 Ω Rds(on) reducerer ledningstab i strømbaner
• 184 W maks. effekttab muliggør vedvarende drift med høj effekt
• 63 nC typisk gate-ladning muliggør forudsigelige krav til koblingsdrev
• Gate-source-grænse ±30 V beskytter gate-drive-margen under transienter

• Velegnet til højspændings DC-DC-konvertere i industrielle systemer
• Anvendes til fase-ben-kontakter i motordrev invertertrin
• Ideel til primære sidekontakter i SMPS-topologier
• Kan bruges til belastningsswitching i batteristyringssystemer
• Anvendes med diskrete effekttrin, der kræver kompakt pakketæthed

Den er specificeret til at fungere over et bredt område fra -55 °C op til 150 °C, der dækker lavtemperaturstarter og høje forbindelsesforhold.

Den leveres i en PowerPAK 10x12-pakke, der er optimeret til printkortmontering for at hjælpe med varmespredning og layouter med lav induktans.

Den typiske 63 nC gate-ladning kræver en driver, der er i stand til at forsyne og sænke tilstrækkelig strøm til at opfylde de ønskede skiftehastigheder og samtidig håndtere skiftetab.

Som en N-kanalforbedringsenhed kræver den passende gate-drive-polaritet og bruges typisk på den lave side eller som en high-side-kontakt med niveauskift.