Vishay N-Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, SIHK
- RS-varenummer:
- 268-8309P
- Producentens varenummer:
- SIHK105N60EF-T1GE3
- Brand:
- Vishay
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 268-8309P
- Producentens varenummer:
- SIHK105N60EF-T1GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 24A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | PowerPAK 10 x 12 | |
| Serie | SIHK | |
| Monteringstype | Printmontering | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.105Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 51nC | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 142W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 9.9mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 24A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype PowerPAK 10 x 12 | ||
Serie SIHK | ||
Monteringstype Printmontering | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.105Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 51nC | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 142W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 9.9mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay SIHK seriens MOSFET, 650 V maksimal drain-kildespænding, 24 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SIHK105N60EF-T1GE3
Denne MOSFET er en højspændings N-kanal-forbedringsenhed, der er designet til strømswitching i krævende printmonterede systemer. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er beregnet til anvendelser, der kræver betydelig afløbsstrøm og forøget blokeringsspænding, samtidig med at den overholder RoHS-miljøstandarderne.
Egenskaber og fordele:
• 650 V drain-klassificering muliggør højspændingskontaktkapacitet
• 24 A kontinuerlig drænstrøm understøtter drift med kraftig belastning
• 0.105 Ω Rds(on) reducerer ledningstab under belastning
• 142 W effekttab muliggør håndtering af høj effekt
• 51 nC typisk gate-ladning minimerer koblingsenergitab
• 30 V portklassificering muliggør bred portdrevfleksibilitet
• 24 A kontinuerlig drænstrøm understøtter drift med kraftig belastning
• 0.105 Ω Rds(on) reducerer ledningstab under belastning
• 142 W effekttab muliggør håndtering af høj effekt
• 51 nC typisk gate-ladning minimerer koblingsenergitab
• 30 V portklassificering muliggør bred portdrevfleksibilitet
Anvendelser
• Velegnet til industrielle strømomformere og invertere
• Ideel til frontender med højspændingsmotordrev
• Anvendes sammen med switch-mode strømforsyninger til energieffektiv omskiftning
• Kan bruges til halvlederrelæer og beskyttelseskredsløb
• Velegnet til telekommunikationsstrømfordelingsmoduler
• Ideel til frontender med højspændingsmotordrev
• Anvendes sammen med switch-mode strømforsyninger til energieffektiv omskiftning
• Kan bruges til halvlederrelæer og beskyttelseskredsløb
• Velegnet til telekommunikationsstrømfordelingsmoduler
Hvilket husformat bruger denne enhed til printkortmontering?
Den leveres i en PowerPAK 10x12-pakke, der er beregnet til overflademonteret printkortmontering, hvilket giver et kompakt fodaftryk og termisk aflastning til layouts med høj effekt.
Hvordan klarer enheden ekstreme omgivelsestemperaturer?
Enheden er specificeret til drift fra -55 °C op til 150 °C, hvilket dækker brede industrielle termiske forhold uden at gå under disse grænser.
Hvilke overvejelser om gate-driver skal overholdes for pålidelig drift?
Portudkoblinger skal begrænses til maksimalt 30 V for at forhindre port-oxidbelastning
passende portmodstande og drevkredsløb anbefales til at styre 51nC-ladningen under omskiftning.
Er denne enhed velegnet til bilkvalifikation?
Den er ikke udpeget som bilkvalitet, så den bør ikke antages at opfylde specifikke kvalifikationskrav til biler.