STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Forbedring, 4 Ben, ECOPACK, STripFETTM F7 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 273-5096P
- Producentens varenummer:
- STK184N4F7AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold 10 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 124,90
(ekskl. moms)
Kr. 156,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 300 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 10 - 98 | Kr. 12,49 |
| 100 - 248 | Kr. 11,255 |
| 250 - 498 | Kr. 10,10 |
| 500 + | Kr. 9,125 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 273-5096P
- Producentens varenummer:
- STK184N4F7AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | STripFETTM F7 | |
| Emballagetype | ECOPACK | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.0mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 136W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 35nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 1.2mm | |
| Bredde | 4.8 to 5 mm | |
| Længde | 6.2mm | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie STripFETTM F7 | ||
Emballagetype ECOPACK | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.0mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 136W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 35nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 1.2mm | ||
Bredde 4.8 to 5 mm | ||
Længde 6.2mm | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics N-kanals effekt-MOSFET i bilkvalitet udnytter STripFET F7-teknologi med en forbedret trinch-gate-struktur, der resulterer i meget lav modstand i tændt tilstand, samtidig med at den interne kapacitet og gate-ladning reduceres for hurtigere og mere effektiv omskiftning.
AEC-Q101-kvalificeret
Fremragende FoM
Høj lavinhårdhed