Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 80 A 75 V N, 3 Ben, PG-TO-220, IPP
- RS-varenummer:
- 273-7465
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-41-652
- Producentens varenummer:
- IPP052NE7N3GXKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 26,63
(ekskl. moms)
Kr. 33,288
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 166 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 13,315 | Kr. 26,63 |
| 10 - 18 | Kr. 11,07 | Kr. 22,14 |
| 20 - 98 | Kr. 10,92 | Kr. 21,84 |
| 100 - 248 | Kr. 8,79 | Kr. 17,58 |
| 250 + | Kr. 8,23 | Kr. 16,46 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 273-7465
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-41-652
- Producentens varenummer:
- IPP052NE7N3GXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 80A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 75V | |
| Emballagetype | PG-TO-220 | |
| Serie | IPP | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5.2mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 68nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 23.45mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 16mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 80A | ||
Drain source spænding maks. Vds 75V | ||
Emballagetype PG-TO-220 | ||
Serie IPP | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5.2mΩ | ||
Kanalform N | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 68nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 23.45mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 16mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET har optimeret teknologi til synkron retning med fremragende gatebelastning. Denne MOSFET er velegnet til højfrekvent switching og DC-til-DC-konverter. Det er en 100 procent lavine testet.
Halogenfri
Blyfri blybelægning
I overensstemmelse med RoHS
Meget lav modstand ved tænding
N-kanal og normalt niveau
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 80 A 75 V N PG-TO-220, IPP
- Infineon Type N-Kanal 100 A 75 V N PG-TO-220, IPP
- Infineon Type N-Kanal 80 A 60 V IPP
- Infineon Type N-Kanal 84 A IPP
- Infineon Type N-Kanal 50 A 650 V IPP
- Infineon Type N-Kanal 9.9 A 500 V IPP
- Infineon Type N-Kanal 80 A 55 V Forbedring TO-220, IPP AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 36.23 A 700 V Forbedring PG-TO220-3, IPP