STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 92 A Forbedring, 4 Ben, TO-247-4, STW
- RS-varenummer:
- 275-1382P
- Producentens varenummer:
- STW65N023M9-4
- Brand:
- STMicroelectronics
Få rabat ved storkøb
Tilføj 510 flere for at gemme 1%
Se mængderabatterIndhold 10 enheder (leveres i et rør)*
Kr. 1.012,70
(ekskl. moms)
Kr. 1.265,90
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 275 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 10 - 509 | Kr. 101,27 | - |
| 510 - 1019 | Kr. 100,04 | 1% |
| 1020 + | Kr. 98,83 | 2% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 275-1382P
- Producentens varenummer:
- STW65N023M9-4
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 92A | |
| Emballagetype | TO-247-4 | |
| Serie | STW | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 23mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 230nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 463W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 15.8mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Højde | 5mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 92A | ||
Emballagetype TO-247-4 | ||
Serie STW | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 23mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 230nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 463W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 15.8mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Højde 5mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics N-kanals effekt MOSFET er baseret på den mest innovative super-junction MDmesh M9-teknologi, der er velegnet til mellem- og højspændings MOSFET'er med meget lav RDS(on) pr. område. Den siliciumbaserede M9-teknologi nyder godt af en fremstillingsproces med flere afløb, som muliggør en forbedret enhedsstruktur. Det resulterende produkt har en af de laveste modstand ved tænding og reducerede gate-ladningsværdier blandt alle silicium-baserede MOSFET'er med hurtig switching super junction-effekt, hvilket gør det særligt velegnet til anvendelser, der kræver fremragende effekttæthed og fremragende effektivitet.
Fremragende skifteydelse
Let at køre
100 procent lavintestet