STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 56 A Forbedring, 3 Ben, TO-247, STW
- RS-varenummer:
- 275-1384P
- Producentens varenummer:
- STWA60N043DM9
- Brand:
- STMicroelectronics
Få rabat ved storkøb
Tilføj 120 flere for at gemme 11%
Se mængderabatterIndhold 10 enheder (leveres i et rør)*
Kr. 543,80
(ekskl. moms)
Kr. 679,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 236 enhed(er) afsendes fra 09. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 10 - 119 | Kr. 54,38 | - |
| 120 - 509 | Kr. 48,32 | 11% |
| 510 - 1019 | Kr. 47,05 | 13% |
| 1020 + | Kr. 46,53 | 14% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 275-1384P
- Producentens varenummer:
- STWA60N043DM9
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 56A | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | STW | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 43mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 312W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 78.6nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 56A | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie STW | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 43mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 312W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 78.6nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics N-kanals effekt MOSFET er baseret på den mest innovative super junction MDmesh DM9-teknologi, der er velegnet til mellem- og højspændings MOSFET'er med meget lav RDS(on) pr. område sammen med en hurtig genopretningsdiode. Den siliciumbaserede DM9-teknologi nyder godt af en fremstillingsproces med flere afløb, som muliggør en forbedret enhedsstruktur.
Husdiode med hurtig genopretning
Verdens bedste RDS pr. område blandt siliciumbaserede hurtige genopretningsenheder
Lav gate-ladning, indgangskapacitet og modstand
100 procent lavintestet