Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 18 A 600 V Forbedring, 4 Ben, PowerPAK 8 x 8 L, SIHH
- RS-varenummer:
- 279-9915
- Producentens varenummer:
- SIHH155N60EF-T1GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 57.414,00
(ekskl. moms)
Kr. 71.766,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 19,138 | Kr. 57.414,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 279-9915
- Producentens varenummer:
- SIHH155N60EF-T1GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 18A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | PowerPAK 8 x 8 L | |
| Serie | SIHH | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.159Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 156W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 38nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 8mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 18A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype PowerPAK 8 x 8 L | ||
Serie SIHH | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.159Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 156W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 38nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 8mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay SIHH seriens MOSFET, 600 V drain source spænding, 18 A kontinuerlig drain strøm - SIHH155N60EF-T1GE3
Denne MOSFET er en højspændings N-kanals koblingstransistor, der er designet til overflademonterede strømforsyningsanvendelser i industrielle systemer. Den fungerer som en enhed med forstærkning til omskiftnings- og forstærkningsopgaver, hvor der kræves forhøjet drain-kilde-spændingskapacitet og moderat strømhåndtering. Komponenten leveres i en kompakt PowerPAK-pakke, der er velegnet til tætte samlinger og hensyn til termisk styring.
Egenskaber og fordele:
• 600 V drain-source-klassificering muliggør højspændingsswitching
• 18 A kontinuerlig drænstrøm understøtter betydelige belastningsstrømme
• 0,159 Ω Rds(on) reducerer ledningstab under belastning
• 156 W effekttab muliggør drift med høj effekt
• 38 nC typisk gate-ladning sikrer forudsigelige drevkrav
• Maksimal driftstemperatur på 150 °C tåler høje forbindelsesbelastninger
• 18 A kontinuerlig drænstrøm understøtter betydelige belastningsstrømme
• 0,159 Ω Rds(on) reducerer ledningstab under belastning
• 156 W effekttab muliggør drift med høj effekt
• 38 nC typisk gate-ladning sikrer forudsigelige drevkrav
• Maksimal driftstemperatur på 150 °C tåler høje forbindelsesbelastninger
Anvendelser
• Velegnet til koblingstrin med højspændingsmotordrev
• Ideel til SMPS-primærsideomskiftning i industrielle forsyninger
• Anvendes til AC-DC-konvertering i strømstyringsmoduler
• Kan bruges til induktiv belastningsswitching i automatiseringsudstyr
• Ideel til SMPS-primærsideomskiftning i industrielle forsyninger
• Anvendes til AC-DC-konvertering i strømstyringsmoduler
• Kan bruges til induktiv belastningsswitching i automatiseringsudstyr
Hvad er de termiske grænser ved design af varmeafledere?
Enheden giver mulighed for en maksimal driftstemperatur på 150 °C og et samlet effekttab på 156 W
termisk layout bør tage hensyn til pakkens termiske modstand og sikre tilstrækkelig printkobber eller varmeafledning for at opretholde samlingstemperaturen inden for grænserne.
Hvilke hensyn kræves der til gate-drev til hurtig omskiftning?
Typisk gate-ladning er 38 nC ved det specificerede gate-drev
Vælg en driver, der kan levere den krævede opladning inden for den ønskede koblingstid, samtidig med at den maksimale gate-source-spænding på 30 V overholdes.
Hvordan opfører enheden sig ved ekstreme lave temperaturer?
Den er specificeret til drift ned til -55 °C, så materialer og loddeprocesser skal rumme termisk cykling over dette område.
Er der montering eller overvejelser om antal ben til printkortlayout?
Komponenten er en overflademonteret PowerPAK med fire ben
PCB'ens fodaftryk og termiske ledninger skal designes, så de passer til huset for elektrisk og termisk ydeevne.
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 18 A 600 V Forbedring PowerPAK 8 x 8 L, SIHH
- Vishay Type N-Kanal 30 A 650 V Forbedring PowerPAK 8 x 8 L, SIHH
- Vishay Type N-Kanal 13 A 650 V Forbedring PowerPAK 8 x 8 L, SIHH
- Vishay N-kanal-Kanal 33 A 600 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, SiH
- Vishay N-kanal-Kanal 47 A 600 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, SiH
- Vishay N-kanal-Kanal 42 A 600 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, SiH
- Vishay N-kanal-Kanal 40 A 600 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, SiH
- Vishay Type N-Kanal 18 A 600 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, SIHK
