Vishay N-Kanal, MOSFET, 56.7 A 100 V Forbedring, 7 Ben, SO-8L, SIJ
- RS-varenummer:
- 279-9934P
- Producentens varenummer:
- SIJ4108DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 60 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 1.032,30
(ekskl. moms)
Kr. 1.290,36
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 6.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 60 - 96 | Kr. 17,205 |
| 100 - 236 | Kr. 15,353 |
| 240 - 996 | Kr. 15,11 |
| 1000 + | Kr. 14,81 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 279-9934P
- Producentens varenummer:
- SIJ4108DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 56.7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | SO-8L | |
| Serie | SIJ | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.009Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 69.4W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 40nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 5.13mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 56.7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype SO-8L | ||
Serie SIJ | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.009Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 69.4W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 40nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 5.13mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay MOSFET er en N-kanal MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.
TrenchFET effekt MOSFET
Fuldt blyfri (Pb)-enhed
Meget lav RDS x Qg tal for fortjeneste
100 procent Rg og UIS testet