Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 105 A 20 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiR
- RS-varenummer:
- 279-9949
- Producentens varenummer:
- SIR5211DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 279-9949
- Producentens varenummer:
- SIR5211DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 105A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | SiR | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0062Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 158nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 56.8W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 5.15mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 105A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie SiR | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0062Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 158nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 56.8W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 5.15mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay MOSFET er en P-kanal MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.
TrenchFET effekt MOSFET
100 procent Rg og UIS testet
Fuldt blyfri (Pb)-enhed
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 105 A 20 V Forbedring SO-8, SiR
- Vishay Type P-Kanal 198 A 40 V Forbedring SO-8, SIRS
- Vishay Type P-Kanal 227 A 30 V Forbedring SO-8, SIRS
- Vishay N-Kanal 478 A 30 V Forbedring SO-8, SIRS
- Vishay N-Kanal 265 A 80 V Forbedring SO-8, SIRS
- Vishay N-Kanal 225 A 100 V Forbedring SO-8, SIRS
- Vishay Type P-Kanal 60.6 A 40 V Forbedring SO-8, SiR
- Vishay Type P-Kanal 90.9 A 60 V Forbedring SO-8, SiR