Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 227 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SIRS
- RS-varenummer:
- 279-9959
- Producentens varenummer:
- SIRS4301DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 51.930,00
(ekskl. moms)
Kr. 64.920,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 17,31 | Kr. 51.930,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 279-9959
- Producentens varenummer:
- SIRS4301DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 227A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | SIRS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0015Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 548nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 132W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 5mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 227A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie SIRS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0015Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 548nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 132W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 5mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay MOSFET er en P-kanal MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.
TrenchFET effekt MOSFET
100 procent Rg og UIS testet
Forbedrer effekttab og lavere RthJC
Fuldt blyfri (Pb)-enhed
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 227 A 30 V Forbedring SO-8, SIRS
- Vishay Type P-Kanal 105 A 20 V Forbedring SO-8, SiR
- Vishay Type P-Kanal 198 A 40 V Forbedring SO-8, SIRS
- Vishay Type P-Kanal 90.9 A 60 V Forbedring SO-8, SiR
- Vishay Type P-Kanal 60.6 A 40 V Forbedring SO-8, SiR
- Vishay Type P-Kanal 37.1 A 60 V Forbedring SO-8, SiR
- Vishay Type N-Kanal 265 A 80 V Forbedring SO-8, SIRS
- Vishay Type N-Kanal 225 A 100 V Forbedring SO-8, SIRS