Vishay N-Kanal, MOSFET, 478 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SIRS

Denne MOSFET er en højstrøms N-kanal-forbedringsenhed, der er designet til krævende strøm-switching-miljøer. Den fungerer over et bredt temperaturområde og leveres i en kompakt SO-8-pakke til overflademontering, der er velegnet til integration i tætbefolkede strømforsyningsenheder. Komponenten er i overensstemmelse med RoHS og er beregnet til anvendelser i industriel kvalitet, hvor der kræves termisk modstandsdygtighed og betydelig kontinuerlig strømhåndtering.

• Meget lav modstand ved tænding 0,00057 Ω for minimale ledningstab
• Høj kontinuerlig afløbsstrøm på 478 A, der muliggør omskiftning under kraftig belastning
• Drain-source mærkespænding 30 V til lavspændingstrin
• Effekttabskapacitet på 208 W for at understøtte drift med høj effekt
• Gate-opladning 230 nC for forudsigelig skifteadfærd
• Gate-source-tolerance 20 V til at rumme robuste drivspændinger

• Velegnet til DC/DC-omformere med høj strømstyrke i serverrack
• Ideel til parallelle MOSFET-arrangementer i strømmoduler
• Anvendes med synkron ensretning i strømforsyninger
• Kan bruges til motordrevstrin, der kræver høj spidsstrøm
• Velegnet til industrielle switching-regulatorer, der fungerer over et bredt temperaturområde

Den er specificeret til drift fra -55 °C op til 150 °C, hvilket understøtter anvendelser, der er udsat for barske termiske forhold.

Overflademonteret placering på et printkort med et passende kobberområde eller termiske ledninger er påkrævet for at sprede op til 208 W sikkert.

Forvent en typisk gate-ladning på 230 nC

Komponenten er ikke klassificeret som bilkvalitet