Vishay N-Kanal, MOSFET, 265 A 80 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SIRS
- RS-varenummer:
- 279-9973P
- Producentens varenummer:
- SIRS5800DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 1.221,00
(ekskl. moms)
Kr. 1.526,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 5.924 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 50 - 98 | Kr. 24,42 |
| 100 - 248 | Kr. 21,69 |
| 250 - 998 | Kr. 21,245 |
| 1000 + | Kr. 20,905 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 279-9973P
- Producentens varenummer:
- SIRS5800DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 265A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Serie | SIRS | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0018Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 240W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 122nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 5mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 265A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Serie SIRS | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0018Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 240W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 122nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 5mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay MOSFET er en N-kanal MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.
TrenchFET effekt MOSFET
Fuldt blyfri (Pb)-enhed
Meget lav RDS x Qg tal for fortjeneste
100 procent Rg og UIS testet