Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 54 A 30 V Forbedring, 8 Ben, 1212-8, SISH
- RS-varenummer:
- 279-9981
- Producentens varenummer:
- SISH103DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 64,55
(ekskl. moms)
Kr. 80,69
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 5.950 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 6,455 | Kr. 64,55 |
| 50 - 90 | Kr. 4,742 | Kr. 47,42 |
| 100 - 240 | Kr. 4,204 | Kr. 42,04 |
| 250 - 990 | Kr. 4,121 | Kr. 41,21 |
| 1000 + | Kr. 4,032 | Kr. 40,32 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 279-9981
- Producentens varenummer:
- SISH103DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 54A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | 1212-8 | |
| Serie | SISH | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0089Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 41.6W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 72nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 3.3mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 54A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype 1212-8 | ||
Serie SISH | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0089Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 41.6W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 72nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 3.3mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay MOSFET er en P-kanal MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.
TrenchFET effekt MOSFET
100 procent Rg og UIS testet
Fuldt blyfri (Pb)-enhed